OS-119 (N62) 自動制御型パルスレーザー蒸着ナノマテリアル合成装置 パスカル MC-LMBE
automatic pulsed laser deposition nano-materials synthesis system
特徴
スキャニングRHEEDと2つのコンビナトリアルマスクを用いて、成長を原子レベルで制御しながら、一枚の基板上に異なる条件の試料を一括作製することが可能
仕様
レーザー波長：193nm(ArF)
レーザー周波数、エネルギー：1～20Hz、最大240mJ
試料サイズ：10mm×10mm
真空度：10^-7Pa台
雰囲気ガス：O2（0.02～20Pa)
基板加熱温度：1000℃
RHEED最大加速電圧：30kV
設置場所：N-606
装置番号：N62
ARIM装置番号：OS-119
