OS-103 (I25) 超高精細電子ビームリソグラフィー装置 エリオニクス ELS-100T
ultra high definition electron beam lithography system 125k
特徴
最小ビーム径φ2nmにて線幅10nm以下の細線描画が可能
レジストパターンとしてはLine & Space 4nm & 50nmの加工が可能
(実験条件によるものであり、保証するものではありません)
仕様
描画最小線幅：5nm、 繋ぎ重ね精度：15nm以下
最大描画ﾌｨｰﾙﾄﾞ：2400um□、最小描画：75um□
電子銃エミッター：ZrO／Ｗ熱電界放射型
加速電圧：125kV, 100kV, 75kV, 50kV
最大試料サイズ：6 inch、 ベクタースキャン方式
設置場所：I-215
装置番号：I25
ARIM装置番号：OS-103
