OS-109 (I24) 深掘りエッチング装置 サムコ株式会社 RIE-400iPB-NP
deep etching system
特徴
誘電結合方式（ICP）を採用したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置
1分間に10um以上のSiエッチングが可能
MEMS、電子部品等に求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応した装置
仕様
試料サイズ：max 4 inch
プロセスガス：CF4, C4F8, CHF3, SF6, O2, Ar
設置場所：I-215
装置番号：I24
ARIM装置番号：OS-109
