OS-110 (I23), 111 (N02) リアクティブエッチング装置 サムコ株式会社 RIE-10NR-NP/RIE-10NOU
reactive ion etching syste
特徴
Si、Poly-Si、SiO2、Si3N4などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的とした平行平板型反応性エッチング装置
仕様
試料サイズ：max 8 inch
プロセスガス： OS-110, OS-111（CF4, CHF3, O2, Ar)
設置場所：I-215(OS-110), N-415(OS-111)
装置番号：I23, N02
ARIM装置番号：OS-110, OS-111
