OS-115(I22)　RFスパッタ成膜装置　絶縁膜成膜用

OS-115 (I22)　RFスパッタ成膜装置　絶縁膜成膜用　サンユー電子　SVC-700LRF
RF sputtering system (oxide)

 

 

特徴

SiO2, Al2O3等の絶縁体のスパッタリングによる成膜が可能

※加熱はできません。

 

仕様

試料サイズ：max 4 inch
絶縁体用

 

設置場所：I-215
装置番号：I22
ARIM装置番号：OS-115