OS-007 材料系電子顕微鏡用試料作製装置群
Apparatus for the preparation of ceramics, semiconductor and metal samples for electron microscopy
イオンミリング装置
機械研摩装置、トライポッド、ディンプルグラインダー、FB-2000、イオンスライサー、micro PREP、プラズマクリーナー、IPリーダー、ダイヤモンドホイルカッター、ダイヤモンドソー、湿式研磨装置、超音波加工機、テヌポール、CP など
OS-006 高分子・生物系電子顕微鏡用試料作製装置群
Apparatus for the preparation of polymer and biological samples for electron microscopy
ミクロトーム
包埋樹脂重合装置、カーボン蒸着装置・親水化処理装置、
JEE-420、オスミウムコーター、包埋恒温器、
凍結乾燥、凍結レプリカ、氷包埋装置 (Vitrobot, EM GP) など
OS-126
接触式膜厚測定器 (膜厚計) (BRUKER DektakXT-A)
stylus profiler
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■ 特徴
10nm以下の段差を測定できる触針式の膜厚測定器。
3D機能を備えたプロファイリングシステムを搭載しており、3Dマッピングが可能。
■ 仕様
試料ステージ：150mmφ
分解能：0.4nm
垂直測定レンジ：1mm
膜厚測定再現性（1σ）：5Å
走査距離上限：55mm
触針圧：1mg～15mg
設置場所：N-415
装置番号：N07
ARIM装置番号：OS-126
OS-012
日本電子 JEM-2100Plus 透過型電子顕微鏡 (200kV)
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加速電圧200kV、回折コントラスト実験
OS-127
レーザーラマン顕微鏡 (ナノフォトン RAMAN-touch VIS-NIR-OUN)
laser raman microscope
■ 特徴
試料の分子構造や結晶性の評価が可能な高精度レーザーラマン顕微鏡
■ 仕様
ライン照射（イメージング）、スポット照射（マッピング）
レーザー波長：532nm, 785nm（出力500mW）
空間分解能：X; 500nm, Y; 350nm, Z; 1000nm (@532nm, 100X, 0.90NA)
スペクトル分解能(FWHM)：1.2cm⁻¹ (@785nm, 1200gr/nm)
スペクトルピクセル分解能：0.3cm⁻¹ (@785nm, 1200gr/nm)
回折格子3枚：300gr/mm, 600gr/mm, 1200gr/mm
ピーク量子効率：90%
ライン照射（イメージング）、スポット照射（マッピング）対応
共焦点、広視野電動ステージ搭載
設置場所：N-321
装置番号：N31
ARIM装置番号：OS-127
OS-101
高精細収束イオンビーム装置 (ZEISS ORION NanoFab)
high definition focused ion beam system
■ 特徴
イオン源に He ガスを採用し、最小ビーム径 0.5nm φ の分解能を有する装置。
【FIB】10nm 以下の微細加工が可能。
【ヘリウムイオン顕微鏡】（He / 0.5nm）中和銃装備のため、絶縁体を導電性処理なしで観察可能で、生体観察にも適している。
■ 仕様
イオン源：He / Ne（希ガス）
最小ビーム径：0.5nm（He）、1.9nm（Ne）
加速電圧：10 ～ 40kV
ET 検出器：二次電子
電子中和銃（Flood gun）装備
GIS：Pt, SiO₂, XeF₂
試料サイズ：45mm φ
設置場所：F-193
装置番号：F11
ARIM装置番号：OS-101
OS-123
ナノ粒子解析装置 (ゼータサイザー) (シスメックス NANO-ZS)
zetasizer
■ 特徴
粉体試料の粒子径、コロイド溶液・ナノ粒子のゼータ電位が測定可能な分析装置。
希釈されたサンプルや低濃度・高濃度サンプルにも対応可能（濃度 0.1ppm ～ 40%/W で測定可能）。
■ 仕様
必要試料量：70μL
粒子径測定：0.6nm ～ 6μm（動的光散乱法）
ゼータ電位測定：3nm ～ 10μm
設置場所：N-317
装置番号：S35
ARIM装置番号：OS-123
OS-128
物理特性測定装置 (日本カンタム・デザイン DynaCool-9)
Physical Property Measurement System: PPMS
■ 特徴
【用途】
低温・高磁場での材料物性測定
・精度の高い測定と測定時間の短縮（従来機より高度な温度制御システム、高真空システムが搭載、CAN（Controller Area Network）使用）
・ユーザーの要望に応えられるカスタマイズ性（多機能プローブにより光学・マイクロ波等を用いた測定や、試料に追加の電極を必要とする測定が可能）
■ 仕様
【温度制御】
温度範囲：1.85K～400K
温度安定度：±0.02％ (T>20K)、±0.1％ (T≦20K)
温度可変速度：0.01K/分～12K/分
冷却速度：40分（300K→1.9K）
【磁場制御】
超電導マグネット：±9T
磁場均一度：±0.01％（1cm×3cm）
磁場分解能：0.16 Oe
【測定オプション】
直流抵抗、電気輸送特性（ETO）、Van der Pauw-ホール輸送特性、試料回転機構、多機能プローブ
設置場所：N-317
装置番号：N33
ARIM装置番号：OS-128
OS-114
RFスパッタ成膜装置 (金属成膜用) (サンユー電子 SVC-700LRF)
RF sputtering system (metal)
■ 特徴
Ti, Cr, W, Au, Pt などの金属のスパッタリングによる成膜が可能。
TS 間距離が 400mm あるため、サンプル表面を均一にスパッタ加工したいユーザーに最適。
■ 仕様
試料サイズ：最大 4 inch
金属用 RF スパッタリング対応
設置場所：I-215
装置番号：I21
ARIM装置番号：OS-114
OS-125
走査型プローブ顕微鏡 (E-sweep) (日立ハイテクサイエンス AFM5000/AFM5300E)
scanning probe microscope
■ 特徴
AFM, c-AFM, STM, DFM, MFM, KFM, PRM, 電流マッピング, SNDN などの測定が可能な走査型プローブ顕微鏡。
温度制御、調湿制御機構を備えており、真空下での測定も可能。
500mT の磁場を試料水平方向に印加可能。
■ 仕様
試料サイズ：15mmφ
温度制御：-120～300℃
調湿制御：30～70%
真空中測定：10⁻⁴ Pa まで可能
磁場印加：試料水平方向に 500mT
設置場所：N-321
装置番号：N32
ARIM装置番号：OS-125
OS-102
SEM付集束イオンビーム装置 (ZEISS Nvision 40D with NPVE)
focused ion beam system with SEM
■ 特徴
30kV の Ga⁺ イオンによる FIB 加工および加工時の SEM 観察が可能。
FIB による気相蒸着で Pt および SiO₂ による配線修復が可能。
■ 仕様
ステージサイズ：最大 8 inch
Pt ガス銃、SiO₂ ガス銃装備
FE-SEM ユニット（加速電圧：30kV）、検出器：InLens, SE, EsB
FIB ユニット（加速電圧：30kV）、最小ビーム径：4nm
設置場所：N-415
装置番号：N01
ARIM装置番号：OS-102
OS-109
深掘りエッチング装置 (サムコ株式会社 RIE-400iPB-NP)
deep etching system
■ 特徴
誘電結合方式（ICP）を採用したボッシュプロセス対応の高速シリコンディープエッチング装置。
1分間に 10μm 以上の Si エッチングが可能。
MEMS、電子部品等で求められるシリコンの高速かつ高異方性エッチングに対応。
■ 仕様
試料サイズ：最大 4 inch
プロセスガス：CF₄, C₄F₈, CHF₃, SF₆, O₂, Ar
設置場所：I-215
装置番号：I24
ARIM装置番号：OS-109
OS-110
リアクティブエッチング装置 (サムコ株式会社 RIE-10NR-NP)
reactive ion etching system
■ 特徴
Si, Poly-Si, SiO₂, Si₃N₄ などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的とした平行平板型反応性エッチング装置。
■ 仕様
試料サイズ：最大 8 inch
プロセスガス：CF₄, CHF₃, O₂, Ar
設置場所：I-215
装置番号：I23
ARIM装置番号：OS-110
OS-111
リアクティブエッチング装置 (サムコ株式会社 RIE-10NOU)
reactive ion etching system
■ 特徴
Si, Poly-Si, SiO₂, Si₃N₄ などの各種シリコン薄膜の高精度エッチングを目的とした平行平板型反応性エッチング装置。
■ 仕様
試料サイズ：最大 8 inch
プロセスガス：CF₄, CHF₃, O₂, Ar
設置場所：N-415
装置番号：N02
ARIM装置番号：OS-111
OS-113
多元DC/RFスパッタ装置 (キヤノンアネルバ EB1100)
multi-target DC/RF sputtering system
■ 特徴
スパッタチャンバー室・ロードロック室を備えた 2 室構造の平行平板型スパッタ装置。
10nm 以下の成膜が可能。
真空を破らずに基板-ターゲット間距離を 100 ～ 300mm の範囲で変更可能で、搬送から成膜まで自動制御可能。
■ 仕様
対応成膜材料：Ti, Au, Cr（Pt, SiO₂, Al₂O₃ は事前連絡が必要）
ターゲット-基板間距離：100 ～ 300mm 可変
全自動（排気、搬送、成膜）
最大対応基板サイズ：200mm
設置場所：N-415
装置番号：N03
ARIM装置番号：OS-113
OS-115
RFスパッタ成膜装置 (絶縁膜成膜用) (サンユー電子 SVC-700LRF)
RF sputtering system (oxide)
■ 特徴
SiO₂, Al₂O₃ などの絶縁体のスパッタリングによる成膜が可能。
※ 加熱機能はありません。
■ 仕様
試料サイズ：最大 4 inch
絶縁体用 RF スパッタリング対応
設置場所：I-215
装置番号：I22
ARIM装置番号：OS-115
OS-103
超高精細電子ビームリソグラフィー装置 (エリオニクス ELS-100)
ultra high definition electron beam lithography system 125k
■ 特徴
最小ビーム径 φ2nm にて線幅 10nm 以下の細線描画が可能。
レジストパターンとして Line & Space 4nm & 50nm の加工が可能。
（※ 実験条件によるものであり、保証値ではありません）
■ 仕様
描画最小線幅：5nm
繋ぎ重ね精度：15nm 以下
最大描画フィールド：2400×2400μm
最小描画フィールド：75×75μm
電子銃エミッター：ZrO/W 熱電界放射型
加速電圧：125kV, 100kV, 75kV, 50kV
最大試料サイズ：6 inch
描画方式：ベクタースキャン方式
設置場所：I-215
装置番号：I25
ARIM装置番号：OS-103
OS-117
EB蒸着装置 (電子ビーム蒸着装置) (アルバック UEP-2000 OT-H/C)
EB deposition system
■ 特徴
蒸発源として電子ビームを用いることで、蒸発させにくい Pt, Au, Ni, Ti などの金属薄膜の形成が可能。
微細構造作製のために基板への斜入射蒸着が可能で、基板の冷却および加熱機能を搭載。
■ 仕様
高真空中で一度に 4 種類の金属薄膜形成が可能
試料サイズ：最大 4 inch
EB蒸着ユニット搭載
設置場所：N-415
装置番号：N05
ARIM装置番号：OS-117
OS-104
自動搬送電子ビーム描画装置 (エリオニクス ELS-BODEN-OU4801)
Automatic Transport Electron Beam Lithography System
■ 特徴
ZrO/W 熱電界放射型電子銃の採用により、最小ビーム径 1.5nmφ の極細線用ビームを長時間安定して使用可能。
最高 150kV の加速電圧を採用し、最小線幅 4nm の描画が可能。
（※ 実験条件によるものであり、保証値ではありません）
■ 仕様
加速電圧：150kV
最小電子ビーム径：φ1.5nm
最小描画線幅：4nm
ビーム電流可変域：5pA ～ 100nA
描画フィールドサイズ：100×100μm、250×250μm、500×500μm
設置場所：N-415
装置番号：N10
ARIM装置番号：OS-104
OS-107
マスクアライナー (ミカサ MA-10)
mask aligner
■ 特徴
UV露光、マニュアルタイプのコンタクト露光機。
二視野顕微鏡採用により、スピーディで正確なアライメントが可能。
■ 仕様
試料サイズ：2 inch φ、マスクは 3 inch 角まで対応
水銀灯 250W 光源（ブロード波長）
二視野顕微鏡採用
設置場所：N-415
装置番号：N08
ARIM装置番号：OS-107
OS-105
高速大面積電子ビームリソグラフィー装置 (エリオニクス ELS-S50LBC)
high speed wide area electron beam lithography system
■ 特徴
加速電圧 50kV で 1μA のビーム電流が可能。
最高クロック周波数 100MHz の高速ビーム変更システムを搭載し、大面積を高スループットで描画することに特化した装置。
■ 仕様
電子銃：ZrO/W 熱電界放出型（TFE）
描画方式：ベクタースキャン方式
加速電圧：20, 30, 50kV
ビーム電流量：100pA ～ 1μA
描画フィールド：100×100μm ～ 3000×3000μm
ビーム位置決め分解能：0.1nm（100μm フィールド時）
ブランキング速度：25ns
ステージ位置読み取り精度：0.3nm
試料サイズ：10～25mm□、3 inch□、4 inch・6 inch φウエハー
観察倍率：×50 ～ ×500K
設置場所：N-415
装置番号：N09
ARIM装置番号：OS-105
OS-108
ナノインプリント装置 (Obducat Eitre3)
nanoimprint system
■ 特徴
UV（波長 250～450nm）と熱（室温～200℃）を使って、最大 3インチの微細パターンを転写可能。
エア加圧（最大 50bar）により基板全面へ均一に転写でき、異物によるモールド破損が少ない。
鋳型準備が必要だが、同じパターンを複数作製したいユーザーに最適。
■ 仕様
熱・UV両方式対応
試料サイズ：3 inch
設置場所：N-415
装置番号：S01
ARIM装置番号：OS-108
OS-120
薄膜X線回折装置 (リガク Ultima IV)
X-Ray diffraction system
■ 特徴
粉末試料、薄膜試料が測定可能な水平試料型X線回折装置。
薄膜インプレーンスキャンによる面内構造解析が可能。
試料交換、スリット等の交換も容易。
■ 仕様
定格出力：1.6kW（40kV, 40mA）
試料ステージサイズ：10cmφ 2θ/θ
インプレーン測定対応
設置場所：S-315
装置番号：S32
ARIM装置番号：OS-120
OS-005
FEI Scios2 複合ビーム 3D 加工・観察装置 (dual beam, EDS 分析)
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加速電圧200V～30kV、dual beam、EDS分析機能
OS-008
日立 HF-2000 透過型電子顕微鏡 (200kV, FEG, EDS 分析)
Transmission electron microscope HF-2000 (Hitachi)
加速電圧200ｋV、FEG、EDS 分析機能
OS-011
日本電子 JEM-1400Flash 透過型電子顕微鏡 (120kV, モンタージュ撮影, MDS)
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加速電圧 120ｋV、モンタージュ撮影、ミニマムドーズシステム(MDS)
OS-004
FEI Titan Krios 透過型電子顕微鏡 (300kV, 試料冷却)
Transmission electron microscope H-7500 (Hitachi)
加速電圧300 kV、試料冷却機能
OS-003
日本電子製 JEM-ARM200F 走査透過型電子顕微鏡
Transmission electron microscope H-800 (Hitachi)
加速電圧200kV、EDS、EELS分析機能
OS-002
日本電子 JEM-1000EES 超高圧電子顕微鏡 (1.25MV, TEM, STEM, EELS, 試料冷却)
Transmission electron microscope HF-2000 (Hitachi)
加速電圧1MV、TEM、STEM、EELS、試料冷却機能
OS-001
日立 H-3000 超高圧電子顕微鏡 (3MV)
Ultra-high voltage electron microscope H-3000 (Hitachi)
世界に1台しかない最高加速電圧３０００ｋV の透過型超高圧電子顕微鏡。
最大の特徴は透過能力の高いこと。